Semi-conducteurs. Page 146 sur 485. Avtronic

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Semi-conducteurs

10167 articles disponibles

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Circuits intégrés divers

193

Circuits logiques série 4000

298

Circuits logiques série 74

529

Diodes

Diodes Haute-tension pour micro-onde

166

Diodes Transils

225

Diodes Zéner

Modules de transmission radio

102

Ponts de redressement à diodes

Supports de circuits intégrés

Thyristors

2377

Transistors

141

Triacs et diacs

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: FMLG12S à FQA62N25C (Page 146 sur 485)

Diode FMLG12S

6.33€ TTC

63 En stock

Diode silicium 200V 5A. Trr: 40ns. Boîtier TO220F-2 isolé.

Tarifs dégressifs

Diode FMLM02S

21.39€ TTC

1 En stock

Diode silicium 200V 2.5A. Boîtier TO-220F.

Tarifs dégressifs

Transistor FMMT720

1.96€ TTC

375 En stock

Transistor PNP FMMT720 40V 1.5A 625mW 190MHz CMS. Vce maxi: 40 V. Courant collecteur maxi: 1.5 A. Boîtier: CMS SOT-23. SWITCHING TRANSISTOR. Constructeur: DIODES INC.. Marquage CMS: 720.

Tarifs dégressifs

Diode FMP3FU

15.46€ TTC

35 En stock

Double diode silicium 1500/600V 5/5A. Trr: 700/100ns. Boîtier TOP-3P.

Tarifs dégressifs

Diode FMQ2FUR

6.27€ TTC

94 En stock

Double diode silicium 1500V 5A. Trr: 2us. 600V 5A 150ns. Boîtier TO220F. Schottky Barrier Diode.

Tarifs dégressifs

Transistor FMY4T148

7.95€ TTC

1 En stock

Transistor FMY4T148 N&P-MOS DUAL 60V 300mW CMS. CMS SMT5. Constructeur: ROHM. Marquage CMS:Y4

Tarifs dégressifs

Transistor FN1016

12.32€ TTC

30 En stock

Transistor NPN FN1016 DARL+D 160V 8A 70W 80MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-3PF. hFE: 5000. Constructeur: SKN. Paire: FP1016. Fréquence maxi: 80 MHz. Darlington. Puissance: 70 W

Tarifs dégressifs

Paire de transistors NPN-PNP FN1016-FP1016

22.62€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Paire de transistors NPN-PNP. Darlington. Diode de roue-libre intégrée 160V 8A 70W. Paire complémentaire

Tarifs dégressifs

Transistor FP101

9.80€ TTC

4 En stock

Transistor NPN FP101. SI-P+D 30V 2A 4p. SAmsING. Type de transistor. P. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

Tarifs dégressifs

Transistor FP1016

10.19€ TTC

22 En stock

Transistor PNP Darlington FP1016 (+diode). Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 8A. Boîtier: TO-3PF. Gain Hfe: 5000. Paire: FN1016. Fréquence maxi: 65MHz. Puissance: 70W

Tarifs dégressifs

Transistor FP106TL

10.42€ TTC

1 En stock

Transistor NPN double. Boîtier: PCP4. Tension collecteur-émetteur maxi: 15V. Courant de collecteur maxi: 3A. Vce(sat): 0.25V. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 280.

Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N FP25R12W2T4

120.75€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 1200V 39A/50Ap 175W

Tarifs dégressifs

Transistor FQA10N80C

13.44€ TTC

3 En stock

Transistor FQA10N80C-F109 N-MOS 800V 10A/40Ap.240W 0.93R(6.32A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FQA13N50CF

4.65€ TTC

22 En stock

Transistor FQA13N50CF N-MOS 500V 15A/60Ap.218W 0.43R(9.5A). DMOS. FRFET. Fast switching. Low gate charge(typical 43nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FQA13N80-F109

21.67€ TTC

32 En stock

Transistor FQA13N80-F109 N-MOS 800V 12.6A/50.4Ap. 300W 0.58R(8A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12.6 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FQA19N60

17.14€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FQA19N60 N-MOS 600V 18.5A/74Ap. 300W 0.3R(11.7A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18.5 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FQA24N50

21.67€ TTC

41 En stock

Transistor FQA24N50 N-MOS 500V 24A/96Ap. 290W 0.156R(12.5A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 24 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FQA24N60

24.92€ TTC

19 En stock

Transistor FQA24N60 N-MOS 600V 23.5A/94Ap. 310W 0.18R(14.9A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23.5 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FQA28N15

7.00€ TTC

310 En stock

Transistor FQA28N15 N-MOS 150V 33A/132Ap. 227W 0.067R(23.3A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 40nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FQA36P15

11.26€ TTC

243 En stock

Transistor MOSFET canal P 150V 36A/144Ap. 294W 0.076R (25.5A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 150V. Id(T:25): 36A. Puissance: 294 W. Id(T:100): 25.5A. Id(imp): 144 Ap. Idss (min): 10 uA. Idss (max): 100 uA. Vgs: 30V. Vgs(th

Tarifs dégressifs

Transistor FQA62N25C

20.22€ TTC

49 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 250V 62A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 250V. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 298W. Résistance Rds: 0.029 Ohms.

Tarifs dégressifs

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Diode FMLG12S

Diode silicium 200V 5A. Trr: 40ns. Boîtier TO220F-2 isolé.

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Transistor FMMT720

Transistor PNP FMMT720 40V 1.5A 625mW 190MHz CMS. Vce maxi: 40 V. Courant collecteur maxi: 1.5 A. Boîtier: CMS SOT-23. SWITCHING TRANSISTOR. Constructeur: DIODES INC.. Marquage CMS: 720.

Diode FMP3FU

Double diode silicium 1500/600V 5/5A. Trr: 700/100ns. Boîtier TOP-3P.

Diode FMQ2FUR

Double diode silicium 1500V 5A. Trr: 2us. 600V 5A 150ns. Boîtier TO220F. Schottky Barrier Diode.

Transistor FMY4T148

Transistor FMY4T148 N&P-MOS DUAL 60V 300mW CMS. *CMS SMT5*. Constructeur: ROHM. Marquage CMS:Y4

Transistor FN1016

Transistor NPN FN1016 DARL+D 160V 8A 70W 80MHz. Vce maxi: 160 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-3PF. hFE: 5000. Constructeur: SKN. Paire: FP1016. Fréquence maxi: 80 MHz. Darlington. Puissance: 70 W

Paire de transistors NPN-PNP FN1016-FP1016

Paire de transistors NPN-PNP. Darlington. Diode de roue-libre intégrée 160V 8A 70W. Paire complémentaire

Transistor FP101

Transistor NPN FP101. SI-P+D 30V 2A 4p. SAmsING. Type de transistor. P. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée.

Transistor FP1016

Transistor PNP Darlington FP1016 (+diode). Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 8A. Boîtier: TO-3PF. Gain Hfe: 5000. Paire: FN1016. Fréquence maxi: 65MHz. Puissance: 70W

Transistor FP106TL

Transistor NPN double. Boîtier: PCP4. Tension collecteur-émetteur maxi: 15V. Courant de collecteur maxi: 3A. Vce(sat): 0.25V. Gain Hfe mini: 100. Gain Hfe maxi: 280.

Transistor IGBT canal-N FP25R12W2T4

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 1200V 39A/50Ap 175W

Transistor FQA10N80C

Transistor FQA10N80C-F109 N-MOS 800V 10A/40Ap.240W 0.93R(6.32A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

Transistor FQA13N50CF

Transistor FQA13N50CF N-MOS 500V 15A/60Ap.218W 0.43R(9.5A). DMOS. FRFET. Fast switching. Low gate charge(typical 43nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 15 A.

Transistor FQA13N80-F109

Transistor FQA13N80-F109 N-MOS 800V 12.6A/50.4Ap. 300W 0.58R(8A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12.6 A.

Transistor FQA19N60

Transistor FQA19N60 N-MOS 600V 18.5A/74Ap. 300W 0.3R(11.7A). DMOS. QFET. Fast switching. Low gate charge(typical 44nC). Constructeur: FAI. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18.5 A.

Transistor FQA24N50

Transistor FQA24N50 N-MOS 500V 24A/96Ap. 290W 0.156R(12.5A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 24 A.

Transistor FQA24N60

Transistor FQA24N60 N-MOS 600V 23.5A/94Ap. 310W 0.18R(14.9A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 90nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3P. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 23.5 A.

Transistor FQA28N15

Transistor FQA28N15 N-MOS 150V 33A/132Ap. 227W 0.067R(23.3A). DMOS Technology. Fast switching. Low gate charge(typical 40nC). Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 33 A.

Transistor FQA36P15

Transistor FQA62N25C

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 250V 62A. Boîtier: TO-3P. Vds(max): 250V. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 298W. Résistance Rds: 0.029 Ohms.

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